Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:In bằng phương pháp phún xạ magnetron DC

Tóm tắt

Màng ZnO:In được chế tạo trên đế thuỷ tinh bằng phương phún xạ magnetron dc từ bia gốm ZnO:In. Các bia gốm ZnO:In có nồng độ In₂O₃ thay đổi từ 1 đến 4% khối lượng. Màng có điện trở suất 1.79 x 10^-3 Ωcm với độ dày màng khoảng 1µm ứng với bia gốm có 2%In₂O₃, nhiệt độ đế khoảng 240^oC. Tất cả các màng ZnO:In đều có độ truyền qua trên 85% trong vùng ánh sáng khả kiến.