Đặc trưng đảo điên trở của màng mỏng ZnO ứng dụng trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên

Tóm tắt

Chúng tôi đã khảo sát đặc trưng thay đổi điện trở của cấu trúc vật liệu Ag/ZnO/Ti nhằm ứng dụng trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên. Các màng mỏng trong cấu trúc trên được chế tạo bằng phương pháp phún xạ dc tại nhiệt độ phòng. Đặc trưng đảo điện trở của màng mỏng ZnO tuân theo dạng đơn cực với thế đảo điện trở có giá trị từ 0.4 V – 0.6 V. Kết quả thu được chứng tỏ rằng cấu trúc vật liệu Ag/ZnO/Ti có thể ứng dụng trong thiết bị lưu trữ dữ liệu không khả biến.