Tính chất quang của màng mỏng InSb trên đế c-sapphire được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung

Tóm tắt

Màng mỏng 1 μm-InSb kết tinh trên đế c-sapphire được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung (PLD) và được nghiên cứu. Phân tích nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy màng InSb giàu Sb được cấu tạo từ các tinh thể nano ở các kích thước khác nhau từ 148 nm đến 322 nm, trong dải nhiệt độ tạo mẫu (Td) 250°C-400°C. Ở Td thấp (< 400°C), màng InSb kết tinh với cấu trúc đa tinh thể, trong khi ở 400°C màng có cấu trúc gần như đơn tinh thể của họ tinh thể zinc blende. Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) và lực nguyên tử (AFM) phù hợp với kết quả phân tích XRD, và cho thấy màng có cấu trúc vi mô biến đổi từ cấu trúc vi hạt ở Td thấp sang cấu trúc gần như liên tục (hạt to) ở Td cao hơn. Phép đo phổ tán xạ Raman cho thấy màng chế tạo có các phương thức dao động khác nhau (2TA, TO-TA, Sb-Sb, TO, và LO) phụ thuộc vào Td. Phép đo phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR) cho thấy có sự giảm năng lượng vùng cấm theo Td.