Calculations on the structures of SiGenSc0/− (n = 3, 4) clusters

Tóm tắt

Cấu trúc của các cluster SiGe_nSc^0/− (n = 3, 4) được nghiên cứu bằng sự kết hợp của giải thuật di truyền, phiếm hàm PBE, lý thuyết chùm tương tác CCSD(T). Cấu trúc hình học, năng lượng tương đối, tần số dao động điều hòa, năng lượng tách electron của các đồng phân được báo cáo. Phiếm hàm PBE cho kết quả tính phù hợp tốt với các tính toán theo phương pháp CCSD(T). Các cấu trúc ổn định của các cluster SiGe_nSc^0/− (n = 3, 4) có độ bôi spin thấp. Các cluster kích thước lớn có thể hình thành từ các cluster kích thước bé bằng cách nhận thêm nguyên tử vào. Kết quả nghiên cứu thu được góp phần định hướng cho việc tạo vật liệu hấp phụ khí.