Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Các tác giả

  • Nguyễn Văn Sỹ

Tóm tắt

Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng.

Lượt tải

Chưa có dữ liệu tải xuống.

Tiểu sử tác giả

  • Nguyễn Văn Sỹ

    Phó Giám đốc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội, Viện Năng lượng nguyên tử Việt Nam

Đã Xuất bản

2023-04-02

Số

Chuyên mục

KHOA HỌC - CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO